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首頁歐美晶振ACT晶振,2016-SMX-4晶振,無鉛環(huán)保晶振

ACT晶振,2016-SMX-4晶振,無鉛環(huán)保晶振

編號：23677163
頻率：16~62.5MHz
尺寸：2.0*1.6*0.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振...

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　 ACT晶振,2016-SMX-4晶振,無鉛環(huán)保晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為低功耗晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

　貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

自1986年以來,ACT - 以前的高級晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計合作伙伴.我們與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破SMD晶振技術(shù)的界限.這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù).各種標(biāo)準(zhǔn)頻率產(chǎn)品我們還擁有強大的頻率控制產(chǎn)品組合,包括晶體,時鐘振蕩器,TCXO和濾波器.

ACT晶振	單位	2016-SMX-4晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16~62.5MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ntlitai.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10^-6 /-30°C～+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	C	6pF~16pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

引線類型產(chǎn)品

當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.

裝載SMD產(chǎn)品

SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、聲表面濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.

晶體諧振器

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

晶體濾波器

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.如果2016晶振濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.

ACT晶振集團認(rèn)識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ACT晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.英國ACT晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.

英國ACT晶振將：通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

ACT晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.

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