愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600，在這個(gè)快速變化的市場中，大量研發(fā)生產(chǎn)高精密的3225mm有源晶振，2520mm有源晶振，2016mm有源晶振等尺寸，為廣大用戶提供廣泛尺寸空間選擇的晶振產(chǎn)品，隨著研發(fā)技術(shù)的不斷精進(jìn)，高精密,高質(zhì)量的3225mm有源晶振被廣泛使用于各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中,并獲汽車電子領(lǐng)域的青睞，作為小體積晶振的代表產(chǎn)品線，3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

Product Number	進(jìn)口晶振型號	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591008600	SG-8018CE	4.915200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008700	SG-8018CE	1.843200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008800	SG-8018CE	33.333000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008900	SG-8018CE	56.602205 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591009000	SG-8018CE	36.810000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591009200	SG-8018CE	16.384000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009300	SG-8018CE	19.922944 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009400	SG-8018CE	1.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009500	SG-8018CE	15.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009600	SG-8018CE	13.333300 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009700	SG-8018CE	66.666600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591009800	SG-8018CE	11.059200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009900	SG-8018CE	13.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010000	SG-8018CE	13.560000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010100	SG-8018CE	14.318180 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010200	SG-8018CE	18.432000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010300	SG-8018CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010400	SG-8018CE	2.048000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010500	SG-8018CE	3.686400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010600	SG-8018CE	60.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591010700	SG-8018CE	7.372800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010800	SG-8018CE	80.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591010900	SG-8018CE	16.666667 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591011000	SG-8018CE	3.580000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600，振蕩裕量是指振蕩停止的裕量，這是振蕩電路中最重要的術(shù)語。

石英晶體振蕩器。該裕量是以晶體諧振器電阻為基礎(chǔ)的比值，表明振蕩電路放大能力的大小。理論上來說，在裕量大于或等于1時(shí)，振蕩電路可以運(yùn)行。但是，在振蕩裕量接近1時(shí)，由于振蕩啟動時(shí)間過長等原因，模塊運(yùn)行可能會失敗。可以通過增加振蕩裕量來解決此類問題。
可以使用如下方法計(jì)算振蕩裕量:
振蕩裕量 [倍] = |-R|/R1spec |-R|: 負(fù)阻
R1spec: 規(guī)范中規(guī)定的晶體諧振器等效串聯(lián)電阻最大值。
請參考晶體諧振器目錄或數(shù)據(jù)表中的R1 spec值。
可以測量實(shí)際振蕩電路的負(fù)阻。
最好使振蕩裕量大于或等于5倍。

隨后愛普生晶振發(fā)布了SG-8018CE晶振，帶電壓晶振編碼X1G005591010600，頻率60.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock時(shí)鐘OSC，安裝TypeSurface山，型號名稱項(xiàng)目名稱useSG-8018CE。當(dāng)前consumption5.2馬，頻率老化1包括在頻率允許范圍內(nèi)10年，頻率老化2 n / A，對稱性:45% ~ 55%

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