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首頁進(jìn)口晶振大真空智能手機(jī)晶振,DSO1612AR有源晶振,SPXO晶體振蕩器

大真空智能手機(jī)晶振,DSO1612AR有源晶振,SPXO晶體振蕩器

編號(hào)：16427747
頻率：0.584375~80.0MHZ
尺寸：1.6*1.2mm

大真空智能手機(jī)晶振,DSO1612AR有源晶振,SPXO晶體振蕩器,為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V0.1Vto+3.3V0.1V對(duì)應(yīng)IC可能)高度：最高0.63mm,體積:0.0022cm3,重量:0.008g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流...

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大真空智能手機(jī)晶振,DSO1612AR有源晶振,SPXO晶體振蕩器,為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +3.3V ± 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) 高度：最高0.63 mm,體積:0.0022cm³,重量:0.008g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

規(guī)格參數(shù)	DSO1612AR
頻率范圍	0.584375~80.0MHZ
電源電壓	+1.8 ~ +3.3V
消費(fèi)電流	+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f＞26MHZ)
出力電壓	0.8 Vp-p min
工作溫度	-40℃~+85℃
出力負(fù)荷	10KΩ//10pF
負(fù)荷變動(dòng)特性	±0.2×10^-6 max (10KΩ//10pF±10%)
電源電壓特性	±0.2×10^-6 max (Vcc±5%)
老化率	±1.0×10^-6 max /year
起動(dòng)時(shí)間	2.0ms max

自1959年成立以來,我們?cè)诖笳婵湛偸谴_保全球消費(fèi)者的信任通過提供產(chǎn)品滿足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴”的三個(gè)哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個(gè)全球石英設(shè)備制造商,我們努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便、更舒適,通過開發(fā)水晶設(shè)備對(duì)全球環(huán)境友好.

基于我們的座右銘“高質(zhì)量的產(chǎn)品,合理的價(jià)格,準(zhǔn)時(shí)交貨,“我們建立了一種高效的生產(chǎn)系統(tǒng),以確保穩(wěn)定供應(yīng)水晶設(shè)備,同時(shí)保持高質(zhì)量.大真空的綜合生產(chǎn)系統(tǒng),從開發(fā)、切割和拋光的合成石英晶體成品——使我們能夠迅速滿足全球客戶的需求.我們將繼續(xù)支持下一代技術(shù)作為主要石英設(shè)備制造市場(chǎng)提供高滿意度的質(zhì)量、成本和交付.

大真空針對(duì)晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價(jià)鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對(duì)應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.

社會(huì)責(zé)任

大真空組有助于創(chuàng)建一個(gè)通過環(huán)境保護(hù)活動(dòng)逐步發(fā)展中社會(huì)與環(huán)境的和諧.

遵守法律和監(jiān)管要求

大真空觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

＜晶體諧振器＞

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

＜晶體振蕩器＞

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮.

有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書.

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)诰w濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

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