音叉晶體振蕩電路
來源：http://www.ntlitai.cn 作者：konuaer 2012年07月08
振蕩電路的設(shè)計概述
振蕩電路設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動級（DL），振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
振蕩津貼，頻率溫度曲線
驅(qū)動級（DL）
晶振單元的驅(qū)動器的運行功率或電流消耗水平（參見圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權(quán)力過大，水平，將導(dǎo)致其特點，這可能會導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計在絕對最大驅(qū)動電平。
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振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
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負(fù)載電容（CL）是一個確定的振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個有效的等效電容，加載從振蕩電路的晶體單元的兩端（見圖12）。
振蕩頻率會有所不同，這取決于負(fù)載電容
振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的晶體單元，配合晶體單元的負(fù)載電容的振蕩電路的負(fù)載電容。
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振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列晶體單元，并確保該振蕩啟動或停止。近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后，逐漸使Rx值較大時，得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）。大的價值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2.jpg)
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線，其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示。
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因為頻率的幅度變化變得越來越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數(shù) T：給定的溫度
鈦成交額溫度的
振蕩電路設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動級（DL），振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
振蕩津貼，頻率溫度曲線
驅(qū)動級（DL）
晶振單元的驅(qū)動器的運行功率或電流消耗水平（參見圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權(quán)力過大，水平，將導(dǎo)致其特點，這可能會導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計在絕對最大驅(qū)動電平。
振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
負(fù)載電容（CL）是一個確定的振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個有效的等效電容，加載從振蕩電路的晶體單元的兩端（見圖12）。
振蕩頻率會有所不同，這取決于負(fù)載電容
振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的晶體單元，配合晶體單元的負(fù)載電容的振蕩電路的負(fù)載電容。
振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列晶體單元，并確保該振蕩啟動或停止。近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后，逐漸使Rx值較大時，得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）。大的價值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線，其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示。
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因為頻率的幅度變化變得越來越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數(shù) T：給定的溫度
鈦成交額溫度的
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