晶振官方博客
更多>>關于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術知識問答
來源：http://www.ntlitai.cn 作者：康華爾電子 2019年11月04
關于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術知識問答
對于Silicon晶振這個品牌,有部分用戶比較熟悉,因為Silicon Laboratories.公司在世界范圍內,70多個國家里都有使用他們家MEMS振蕩器產品的廠家,Silicon公司是美國時序產品的制造商,在頻率元件方面做得非常好,在行業里排名前10位.Silicon的振蕩器產品主要是MEMS可編程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振蕩器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封裝.
501ACA10M0000DAG是Si501晶振系列的一條原廠編碼,這個系列的尺寸是3.2*2.5mm,在MEMS振蕩器里算是比較小的一種體積.主要用于無線通信,5G基站,航空航天設備,探測器,程控交換機,千兆光纖網絡等高端的產品.擁有低衰減,低電平,低抖動,低電壓,低相控等優良的性能.下面表格是501ACA10M0000DAG及其他Silicon貼片晶振產品的編碼,和一些相關的技術知識,將通過問答的形式讓用戶更加了解.
問一:Si50x:Si501/2/3/4–與XO相比,CMEMS較不易受振動的影響
典型的25MHz石英晶體的質量約為1.70mg.CMEMS諧振器的質量為27.8ng.CMEMS諧振器的質量約為石英晶體的0.000016(?1/61,000).石英晶體物理上安裝在2個墊板上,如“潛水板”,并且在遭受沖擊或振動時會基本移動,從而損害了將晶體附著到其安裝點的環氧樹脂.CMEMS諧振器牢固地固定在所有四個角以及中心支架上.鑒于CMEMS諧振器的質量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS諧振器可以比石英諧振器承受更多的振動和G沖擊力.
問二:Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是什么?
Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是從32.000KHz持續至100.000MHz.
問三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和頻率穩定性
Si501/2/3/4的加速老化測試顯示出非常小的頻率偏差,在±2ppm之內(+2.1ppm,-1.9ppm).下圖顯示了在125°C老化1000小時后的設備頻率輸出誤差.
問四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖動
Si501/2/3/4有源晶振設計用于低周期和周期抖動比低頻相位噪聲更為重要的應用.許多消費,工業和嵌入式應用都不關心“近距離”相位噪聲.通常,只有極低抖動的通信應用程序才關注較低頻率的“近距離”抖動.選擇900KHz至7.5MHz的頻帶是為了給與高頻相位噪聲有關的應用(例如SATA等點對點存儲協議)提供典型的均方根相位抖動.Si501/2/3/4專門針對周期抖動是主要抖動問題的成千上萬種低成本和低功耗通用應用,并且非常適合這些應用.
問五:Si501/2/3/4的推薦焊料回流曲線是什么?
Si501/2/3/4的推薦回流焊曲線應遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在實驗室使用時,只要不使用過多熱量,就可以將SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
問六:Si50x現場編程器可以重新編程以前已編程好的設備嗎?
Si可以將Si501/2/3/4設備使用一次性替換(OTP)配置內存.Si50x設備被編程好之后,不可以更改或重新編程以前已編程的信息.
問七:如果器件在正常的-40C至+85C溫度范圍之外工作,則頻率穩定度(ppm)可能會發生什么?
在超出數據手冊規定工作范圍的溫度下,無法保證器件規格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和總穩定性).話雖如此,設備參數,如頻率穩定性,不應突然改變,而應隨溫度平穩地偏離.同樣,我們不保證超出數據手冊規定的限制工作,建議始終使器件保持在工作限制內.
關于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術知識問答
對于Silicon晶振這個品牌,有部分用戶比較熟悉,因為Silicon Laboratories.公司在世界范圍內,70多個國家里都有使用他們家MEMS振蕩器產品的廠家,Silicon公司是美國時序產品的制造商,在頻率元件方面做得非常好,在行業里排名前10位.Silicon的振蕩器產品主要是MEMS可編程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振蕩器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封裝.
| 501ACA10M0000DAGR | Si501晶振 | 10MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA10M0000BAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA10M0000BAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA10M0000CAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA10M0000CAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA10M0000DAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA10M0000DAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501HCA12M0000BAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501HCA12M0000BAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501HCA12M0000CAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501HCA12M0000CAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501HCA12M0000DAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501HCA12M0000DAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BCA16M0000BAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BCA16M0000BAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BCA16M0000CAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BCA16M0000CAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BCA16M0000DAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BCA16M0000DAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BAA16M0000BAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BAA16M0000BAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BAA16M0000CAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BAA16M0000CAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BAA16M0000DAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BAA16M0000DAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA20M0000BAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA20M0000BAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA20M0000CAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA20M0000CAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA20M0000DAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA20M0000DAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501AAA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501AAA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501AAA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501AAA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501AAA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501AAA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JAA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JAA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JAA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JAA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JAA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JAA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
典型的25MHz石英晶體的質量約為1.70mg.CMEMS諧振器的質量為27.8ng.CMEMS諧振器的質量約為石英晶體的0.000016(?1/61,000).石英晶體物理上安裝在2個墊板上,如“潛水板”,并且在遭受沖擊或振動時會基本移動,從而損害了將晶體附著到其安裝點的環氧樹脂.CMEMS諧振器牢固地固定在所有四個角以及中心支架上.鑒于CMEMS諧振器的質量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS諧振器可以比石英諧振器承受更多的振動和G沖擊力.
問二:Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是什么?
Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是從32.000KHz持續至100.000MHz.
問三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和頻率穩定性
Si501/2/3/4的加速老化測試顯示出非常小的頻率偏差,在±2ppm之內(+2.1ppm,-1.9ppm).下圖顯示了在125°C老化1000小時后的設備頻率輸出誤差.
問四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖動
Si501/2/3/4有源晶振設計用于低周期和周期抖動比低頻相位噪聲更為重要的應用.許多消費,工業和嵌入式應用都不關心“近距離”相位噪聲.通常,只有極低抖動的通信應用程序才關注較低頻率的“近距離”抖動.選擇900KHz至7.5MHz的頻帶是為了給與高頻相位噪聲有關的應用(例如SATA等點對點存儲協議)提供典型的均方根相位抖動.Si501/2/3/4專門針對周期抖動是主要抖動問題的成千上萬種低成本和低功耗通用應用,并且非常適合這些應用.
問五:Si501/2/3/4的推薦焊料回流曲線是什么?
Si501/2/3/4的推薦回流焊曲線應遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在實驗室使用時,只要不使用過多熱量,就可以將SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
問六:Si50x現場編程器可以重新編程以前已編程好的設備嗎?
Si可以將Si501/2/3/4設備使用一次性替換(OTP)配置內存.Si50x設備被編程好之后,不可以更改或重新編程以前已編程的信息.
問七:如果器件在正常的-40C至+85C溫度范圍之外工作,則頻率穩定度(ppm)可能會發生什么?
在超出數據手冊規定工作范圍的溫度下,無法保證器件規格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和總穩定性).話雖如此,設備參數,如頻率穩定性,不應突然改變,而應隨溫度平穩地偏離.同樣,我們不保證超出數據手冊規定的限制工作,建議始終使器件保持在工作限制內.
關于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術知識問答
正在載入評論數據...
相關資訊
- [2023-06-29]6G晶振物料SMD硅時鐘振蕩器如何改善EMC...
- [2020-06-11]采購進口晶體振蕩器時哪三件事是必須要...
- [2020-06-08]當有源晶體使用的溫度超過設定的范圍會...
- [2020-04-29]疫情會讓關鍵元器件上游供應商與下游斷...
- [2020-03-07]國外疫情開始爆發進口晶振會不會因此漲...
- [2019-12-27]獨家分享SiTime諧振器產品制造包裝和焊...
- [2019-12-25]趕緊收藏這一波干貨,TXC告訴你當晶振發...
- [2019-12-17]處理晶體晶振和其他頻率組件時哪些行為...
- [2019-12-11]注意了!不正確選購有可能會增加購買石英...
- [2019-11-29]kyocera石英晶體原廠低EMI電路設計
- [2019-11-18]Microchip可編程振蕩器DSC1123CI2-125....
- [2019-11-14]這些晶振問題雖常見,但這么詳細的回答你...
銷售代表
售后服務
